低損傷刻蝕
由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機SI 500進行低損傷刻蝕和納米結構的刻蝕。
高速刻蝕
對于具有高深寬比的高速硅基MEMS刻蝕，光滑的側壁可以通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實現。
自主研發的ICP等離子源
三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結構。
動態溫度控制
在等離子體刻蝕過程中，襯底溫度的設定和穩定性對于實現高質量蝕刻起著至關重要的作用。動態溫度控制的ICP襯底電極結合氦氣背冷和基板背面溫度傳感，可在-150°C至+400°C的廣泛溫度范圍內提供了優良的工藝條件。
SI 500為研發和生產提供的電感耦合等離子體(ICP)工藝設備。它基于ICP等離子體源PTSA，動態溫度控制的襯底電極，全自動控制的真空系統，使用遠程現場總線技術的的SETECH控制軟件和用于操作SI 500的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是SI 500主要的設計特點。
SI 500 ICP等離子刻蝕機，可以用于加工各種各樣的襯底，從直徑高達200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預真空室保證穩定的工藝條件，并且切換工藝非常容易。
SI 500 ICP等離子刻蝕機，通過配置可用于刻蝕不同材料，包括但不僅限于例如三五族化合物半導體(GaAs, InP, GaN, InSb)，介質，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),還有金屬等。
SENTECH提供用戶不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統，目標是高靈活性或高產量。SI 500 ICP等離子刻蝕機也可用作多腔系統中的工藝模塊。
SI 500 :
ICP等離子刻蝕機
帶預真空室
適用于200mm的晶片
襯底溫度從-20?°C到300?°C
SI 500C:
等溫ICP等離子刻蝕機
帶傳送腔和預真空室
襯底溫度從-150?°C到400?°C
SI 500 RIE:
RIE等離子刻蝕機
背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案
電容耦合等離子體源，可升級成ICP等離子體源PTSA
SI 500 -300:
ICP等離子刻蝕機
帶預真空室
適用于300mm晶片
