新型微差壓變送器特點
閱讀：433發布時間：2014-2-20
隨著科技的發展，越發需要高精度計量微壓。為此，多方在作研究開發，不同程度地初步取得一些進展。
下面側重介紹以長期積累的半導體壓力傳感器技術為基礎，并利用硅單晶擴散技術和硅微加工技術，先行開發出0～98Pa、0—588．4Pa(0—10～0—60mmH：0)的半導體低壓傳感器，進而采用此種半導體低壓傳感器，開發研制出一種新型微差壓變送器。從而實現了高精度檢測微壓的愿望。
新型微差壓變送器的結構不同一般，其主要特點就是采用了半導體微壓傳感器。
1．半導體微壓傳感器
用硅膜片式壓力傳感器檢測低壓時，為了獲得較大的輸出，硅膜片的厚度勢必要做得很薄。然而，膜片過薄，就會產生所謂氣球效應的大撓曲現象，要獲得與壓力成正比的輸出便是個難題。為了解決這個難題而開發研制出一種硅膜片中心帶剛體的E型半導體壓力傳感器，可高精度檢測0～588．9Pa的低壓。
近期又有新進展，開發研制出一種可檢測0～98Pa、0～588．4Pa的半導體微壓傳感器。為通常使用的c型傳感器、中心帶剛體的E型傳感器及新近開發研制的EI型傳感器的構造。這3種形式都是采用擴散法在n型硅基片的表面形成P型應變電阻。
E型傳感器采用環狀元件，以減小施加壓力時產生的撓曲，并可提高低壓檢測精度，而Ⅱ型傳感器則由兩根應變桿和極薄的膜片構成。因此，外加壓力主要是用來使應變桿彎曲，應變桿能感應微小的壓力。并且，將應變電阻形成在與E型傳感器的彈性元件具有相同粗度的應變桿上，可以獲得線性輸入一輸出特性。這種場合，采用細應變桿和薄膜片，對提高特性較為有利。
