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中科院近代物理所胡步榮研究組揭示三維培養細胞輻射抗性機理

閱讀:823發布時間:2016-10-29

2016年10月13日,腫瘤學學術期刊《Oncotarget》雜志上在線發表了*近代物理研究所空間輻射生物研究室胡步榮研究員的一篇研究論文,研究在具有更接近人體生理特性的三維(3D)培養細胞輻射抗性內在機理研究方面獲得新進展。

3D培養是一種基于基質膠為支架的新型細胞培養模式,其具有更接近人體的生理特性(圖1),在生命現象與藥物效應測試研究中漸廣泛。前期的研究顯示,與單層(2D)培養細胞相比,3D結構細胞具有一定的輻射抗性,其相關機理還不清楚。DNA甲基化是一種重要的表觀遺傳調控方式,能夠導致 DNA序列不發生變化,但基因表達卻發生了可遺傳的改變。異常的DNA甲基化可能導致腫瘤發生、自身免疫病、衰老、神經精神異常等多種疾病。

從DNA甲基化角度,研究人員發現,輻射后2D與3D細胞整體甲基化水平均降低。但在3D細胞中,多個周期調控關鍵基因(RBL1,CCND1,CCNF等)表達較低;3D細胞輻射后,這些基因自身高甲基化的啟動子發生明顯的去甲基化,基因的表達水平顯示明顯的上調,而在2D培養細胞中無此現象發生。深入的研究顯示,3D細胞RBL1啟動子甲基化引起的低表達與其輻射抗性有較大關系(圖2)。

研究表明:3D細胞培養是更接近人體生理特性的生命現象研究模型;RBL1啟動子甲基化導致3D細胞的輻射抗性,為靶向調控RBL1,增加臨床癌癥放療指數提供了理論依據和新的靶點。


圖2 3D細胞中RBL1通過甲基化調控參與輻射應答,影響細胞輻射抗性


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