德國Micro Resist納米壓印膠

返回列表頁

參考價: ￥ 14

訂貨量: ≥1 件

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號mr-I 7000E、mr-I 8000E

品牌

廠商性質(zhì)代理商

所在地上海市

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：趙先生查看聯(lián)系方式

更新時間：2021-05-21 13:36:23瀏覽次數(shù)：485次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  光刻膠

納米壓印膠

Futurrex光刻膠

顯影液

SU8系列

全部產(chǎn)品列表

  其他品牌

邁可諾技術(shù)有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：59條

所在地區(qū)：上海上海市

聯(lián)系人：趙先生（經(jīng)理）

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

成膜質(zhì)量	優(yōu)良

Tg = 60℃

優(yōu)異的成膜質(zhì)量

由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

詳細介紹

品牌	產(chǎn)地	型號	特點
Micro Resist	德國	mr-I 7000E系列	Tg = 60℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 8000E系列	Tg = 115℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I PMMA 35k/75k系列	Tg = 105℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量低分子量從而實現(xiàn)高效的流動性壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I T85系列	Tg = 85℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠非極化熱塑性、具有優(yōu)異的紫外和光學(xué)透過率，高化學(xué)穩(wěn)定性可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 9000E系列	熱固化之前Tg = 35℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量接近等溫加工處理 n 壓印溫度120℃ n 脫模溫度100℃ 壓印時溫度從Tg到Tg，Cured增加并固化非常低的殘余膠層厚度低至5 nm Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-NIL 6000系列	光化學(xué)固化之前Tg = 40℃ 優(yōu)質(zhì)的固體光膠薄膜接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進行非常低的殘余膠層厚度低至10 nm 圖案轉(zhuǎn)移時高保真度 Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）寬帶或i線曝光

		mr-UVCur06	旋涂使用優(yōu)質(zhì)的成膜質(zhì)量和膠厚均一性室溫加工處理由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間低劑量紫外曝光快速固化可獲得優(yōu)于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率） Plasma刻蝕高阻抗性能 O2 Plasma刻蝕可無殘余去除寬帶或i線曝光