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深圳市邁瑞施電子技術有限公司
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MCD501-18io1
MCD501-18io1產地哪里？中文資料有嗎？
可控硅IGBT模塊是由德國賽米控Semikron出品，采用*工藝；
通常采購前了解清楚用途，用于維修或是研發生產，維修簡單明了，確定好型號規格就沒問題；但研發生產較為復雜，需要發技術資料給工程師，待工程師確認好技術參數規格后方能進入采購流程。
用于維修，首先如何判斷可控硅/IGBT模塊是否已經損壞，下面用zui簡單的方法來判斷可控硅IGBT的好壞：
萬用表判斷好壞
方法一
IGBT組件檢測方法
IGBT正常工作時，柵極與發射極之間的電壓約為9V發射極為基準。若在路測量，電路正常工作時：正電壓約為13V負電壓約為-9V的166µs半周期方波
應側阻值 萬用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正，E接表負 數百歐 短路，開路
C接表負，E接表正 約16KΩ 短路，幾百歐
C—B之間 C接表正，B接表負 無窮大 短路，幾百歐
C接表負，B接表正 無窮大 短路，幾百歐
B—E之間 B接表正，E接表負 無窮大 短路，幾百歐
B接表負，E接表正 無窮大 短路，幾百歐
當撐握了以上方法判斷后再確定是否要采購。
很多采購*次接觸此類產品，無從下手，在此建議一定不要只看價格，性能質量穩定也非常重要。
相關導讀：
一般來說，電氣設備必須同時具有對高頻和低頻干擾的抑制能力。其中高頻干擾主要包括靜電放電、脈沖干擾和發射性頻率的電磁場等；而低頻干擾主要指電源電壓波動、欠壓和頻率不穩定等。通常變頻器能夠運行在一個可能存在著較高電磁干擾（EM1）的工業環境中，它既是噪聲發射源，可能又是噪聲接受器。
1、 變頻器所受的外部干擾
1） 晶體管換流設備對變頻器的干擾：
當供電網絡內有容量較大的晶閘管換流設備時，由于晶閘管總是在每相半周期內的部分時間導通，容易使網絡電壓出現凹凸（如圖1-1所示）。它使變頻器輸入側的整流電路有可能因此出現較大的反向回復電壓而受到損害。
2） 補償電容器的投入和切出對變頻器的干擾：
當在供電線路的變電所內采用集中電容補償的方法來提高功率因數時，在補償電容投入和切出的暫態過程中，網絡電壓有可能出現很高的峰值（如圖1-2所示）。其結果是可能使變頻器的整流二極管內承受過高的反向電壓而擊穿。
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