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深圳市邁瑞施電子技術有限公司
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MCD501-12io1
MCD501-12io1產地哪里？中文資料有嗎？
可控硅IGBT模塊是由德國賽米控Semikron出品，采用*工藝；
通常采購前了解清楚用途，用于維修或是研發生產，維修簡單明了，確定好型號規格就沒問題；但研發生產較為復雜，需要發技術資料給工程師，待工程師確認好技術參數規格后方能進入采購流程。
用于維修，首先如何判斷可控硅/IGBT模塊是否已經損壞，下面用zui簡單的方法來判斷可控硅IGBT的好壞：
萬用表判斷好壞
方法一
IGBT組件檢測方法
IGBT正常工作時，柵極與發射極之間的電壓約為9V發射極為基準。若在路測量，電路正常工作時：正電壓約為13V負電壓約為-9V的166µs半周期方波
應側阻值 萬用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正，E接表負 數百歐 短路，開路
C接表負，E接表正 約16KΩ 短路，幾百歐
C—B之間 C接表正，B接表負 無窮大 短路，幾百歐
C接表負，B接表正 無窮大 短路，幾百歐
B—E之間 B接表正，E接表負 無窮大 短路，幾百歐
B接表負，E接表正 無窮大 短路，幾百歐
當撐握了以上方法判斷后再確定是否要采購。
很多采購*次接觸此類產品，無從下手，在此建議一定不要只看價格，性能質量穩定也非常重要。
相關導讀：
屏蔽信號電纜增加抗干擾（如圖4-4所示）：
當變頻器作為被干擾對象時，高次諧波干擾電流Is可以通過電勢和耦合電容進入變頻器并且在阻抗
Zi上產生一個壓降，導致噪聲干擾。為此zui有效的方法是嚴格隔離高頻干擾和信號電纜，并且信號電纜屏蔽一定要在兩端接地。
控制電纜使用屏蔽電纜。一般來說，控制電纜的屏蔽層應直接在變頻器的內部接地，另一側通過一個高頻小電容（例如3.3nf/3000V）接地。當屏蔽層兩端的差模電壓不高和連接到同一地線上時，也可以將屏蔽層的兩端直接接地。信號線和它的返回線絞在一起，減小感性耦合引起的干擾。絞合越靠近端子越好。模擬信號的傳輸線應使用雙屏蔽的雙絞線。不同的模擬信號線應該獨立走線，有各自的屏蔽層，以減少線間的耦合。不要把不同的模擬信號置于同一個公共反回線。低壓數字信號使用雙屏蔽的雙絞線，也可以使用單屏蔽的雙絞線。
良好的接地及合理的布線：確保柜體中的所有設備接地良好，使用短和粗的接地線連接到公共接地點或接地母排上。特別重要的是，連接到變頻器的任何控制設備要與其共地,同樣也要用短和粗的導線接地。采用扁平導體（如金屬網），因其在高頻時阻抗較低。
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