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深圳市邁瑞施電子技術有限公司
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TT210N12KOF
TT210N12KOF產地哪里？中文資料哪里有？
可控硅IGBT模塊是由德國英飛凌（Infineon）、優派克（eupec）出品，采用*工藝；
通常采購前了解清楚用途，用于維修或是研發生產，維修簡單明了，確定好型號規格就沒問題；但研發生產較為復雜，需要發技術資料給工程師，待工程師確認好技術參數規格后方能進入采購流程。
用于維修，首先如何判斷可控硅/IGBT模塊是否已經損壞，下面用zui簡單的方法來判斷可控硅IGBT的好壞：
萬用表判斷好壞
方法一
IGBT組件檢測方法
IGBT正常工作時，柵極與發射極之間的電壓約為9V發射極為基準。若在路測量，電路正常工作時：正電壓約為13V負電壓約為-9V的166µs半周期方波
應側阻值 萬用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正，E接表負 數百歐 短路，開路
C接表負，E接表正 約16KΩ 短路，幾百歐
C—B之間 C接表正，B接表負 無窮大 短路，幾百歐
C接表負，B接表正 無窮大 短路，幾百歐
B—E之間 B接表正，E接表負 無窮大 短路，幾百歐
B接表負，E接表正 無窮大 短路，幾百歐
當撐握了以上方法判斷后再確定是否要采購。
很多采購*次接觸此類產品，無從下手，在此建議一定不要只看價格，性能質量穩定也非常重要。
相關導讀：
1)裝設浪涌吸收裝置或者串聯電抗器作為吸收裝置
電網的沖擊過電壓、雷電導致過電壓以及補償電容在合閘或斷開時是造成變頻器輸入端過電壓的主要原因。對于此類隱患，可以在變頻器裝設浪涌吸收裝置或者串聯電抗器預防。浪涌吸收裝置就是在連接逆變器和電動機的U、V、W相的各動力線間、以及這些動力線和地之間，分別連接半導體浪涌吸收元件。這些半導體浪涌吸收元件在兩端子間達到規定的電壓以上就流過電流并箝位電壓的特性。串聯電抗器能夠降低電容器組的涌流倍數和涌流頻率，提高短路阻抗，減小短路容量，降低短路電流，減小操作電容器組引起的過電壓幅值，避免電網過電壓保護等作用，是抑制過電壓有效方法。
2)調整變頻器已設定的參數
如果工藝流程中對負載減速時間不限定，在設置變頻器減速時間參數時，以不引起中間回路過電壓為限為條件設定，不能太短，避免出現負載動能釋放太快情況，尤其是變頻器所控制負載慣性較大的設備，減速參數要適當增加;如果生產工藝流程對負載減速時間有一定的要求，為預防變頻器在限定時間內出現過電壓跳停，要設定變頻器失速自整定功能，也可設定變頻器的頻率值，通過減緩頻率降低所控制設備的轉速。
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