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深圳市邁瑞施電子技術有限公司
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艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊，IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。
DSEI2X101-06中文資料，技術參數，中文資料， PDF datasheet,圖片。
DSEI2X101-06品牌：IXYS艾賽斯；
DSEI2X101-06代理怎么樣？價格好嗎？
可控硅IGBT模塊是由德國IXYS出品，采用*工藝；
很多采購*次接觸此類產品，無從下手，在此建議一定不要只看價格，性能質量穩定也非常重要。
深圳市邁瑞施電子技術有限公司：一家專業做進口 * 現貨 批發零售的企業，
方法一
IGBT組件檢測方法
IGBT正常工作時，柵極與發射極之間的電壓約為9V發射極為基準。若在路測量，電路正常工作時：正電壓約為13V負電壓約為-9V的166µs半周期方波
應側阻值 萬用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正，E接表負 數百歐 短路，開路
C接表負，E接表正 約16KΩ 短路，幾百歐
C—B之間 C接表正，B接表負 無窮大 短路，幾百歐
C接表負，B接表正 無窮大 短路，幾百歐
B—E之間 B接表正，E接表負 無窮大 短路，幾百歐
B接表負，E接表正 無窮大 短路，幾百歐
當撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購。
相關導讀：
4.1可逆斬波器：
可逆斬波器
圖4.1 可逆斬波器
可逆斬波器的電路構成如圖4.1所示。這種斬波器的能量流向可以采用兩個方向，它具有將負載上產生的能量饋送到電源的特點。能量由電源E供給負載上時，器件Q2斷開，由器件Q1和二極管D2起著降壓斬波器的作用；并且，由負載側饋送能量時，器件Q1斷開，由器件Q2和二極管D1起著升壓斬波器的作用。下文將詳細介紹可逆斬波器在能量回饋中的作用。
電容反饋制動主回路原理圖
圖4.2 電容反饋制動主回路原理圖
4.2主回路原理圖（如圖4.2）
4.3系統簡述：
整流部分采用普通的不可控整流橋進行整流（如圖中的VD1——VD6組成），濾波回路采用通用的電解電容（圖中C1、C2），延時回路采用接觸器或可控硅均可（圖中Ｔ1）。充電、反饋回路采用可逆斬波器的原理由功率模塊IGBT（圖中VT1、VT2）、充電、反饋電抗器L及大電解電容Ｃ（容量為法拉級，可根據變頻器所在的工況系統決定）組成。逆變部分由功率模塊IGBT組成（如圖VT5-VT10）。大電解電容的保護回路，由芯片和IGBT、功率電阻完成。
艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊，IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。
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