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DSEI2X101-06

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產(chǎn)品型號(hào)DSEI2X101-06

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更新時(shí)間：2016-11-07 14:36:46瀏覽次數(shù)：114次

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深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊，IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。
DSEI2X101-06中文資料，技術(shù)參數(shù)，中文資料， PDF datasheet,圖片。

詳細(xì)介紹

DSEI2X101-06品牌：IXYS艾賽斯；

DSEI2X101-06代理怎么樣？價(jià)格好嗎？

可控硅IGBT模塊是由德國(guó)IXYS出品，采用*工藝；

很多采購(gòu)*次接觸此類(lèi)產(chǎn)品，無(wú)從下手，在此建議一定不要只看價(jià)格，性能質(zhì)量穩(wěn)定也非常重要。

深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司：一家專(zhuān)業(yè)做進(jìn)口 * 現(xiàn)貨批發(fā)零售的企業(yè)，

方法一

IGBT組件檢測(cè)方法

IGBT正常工作時(shí)，柵極與發(fā)射極之間的電壓約為9V發(fā)射極為基準(zhǔn)。若在路測(cè)量，電路正常工作時(shí)：正電壓約為13V負(fù)電壓約為-9V的166µs半周期方波

應(yīng)側(cè)阻值萬(wàn)用表接法正常異常

C—E之間 C接表正，E接表負(fù) 數(shù)百歐短路，開(kāi)路

C接表負(fù)，E接表正約16KΩ 短路，幾百歐

C—B之間 C接表正，B接表負(fù) 無(wú)窮大短路，幾百歐

C接表負(fù)，B接表正無(wú)窮大短路，幾百歐

B—E之間 B接表正，E接表負(fù) 無(wú)窮大短路，幾百歐

B接表負(fù)，E接表正無(wú)窮大短路，幾百歐

當(dāng)撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購(gòu)。

相關(guān)導(dǎo)讀：

4.1可逆斬波器：

可逆斬波器

圖4.1 可逆斬波器

可逆斬波器的電路構(gòu)成如圖4.1所示。這種斬波器的能量流向可以采用兩個(gè)方向，它具有將負(fù)載上產(chǎn)生的能量饋送到電源的特點(diǎn)。能量由電源E供給負(fù)載上時(shí)，器件Q2斷開(kāi)，由器件Q1和二極管D2起著降壓斬波器的作用；并且，由負(fù)載側(cè)饋送能量時(shí)，器件Q1斷開(kāi)，由器件Q2和二極管D1起著升壓斬波器的作用。下文將詳細(xì)介紹可逆斬波器在能量回饋中的作用。

電容反饋制動(dòng)主回路原理圖

圖4.2 電容反饋制動(dòng)主回路原理圖

4.2主回路原理圖（如圖4.2）

4.3系統(tǒng)簡(jiǎn)述：

整流部分采用普通的不可控整流橋進(jìn)行整流（如圖中的VD1——VD6組成），濾波回路采用通用的電解電容（圖中C1、C2），延時(shí)回路采用接觸器或可控硅均可（圖中Ｔ1）。充電、反饋回路采用可逆斬波器的原理由功率模塊IGBT（圖中VT1、VT2）、充電、反饋電抗器L及大電解電容Ｃ（容量為法拉級(jí)，可根據(jù)變頻器所在的工況系統(tǒng)決定）組成。逆變部分由功率模塊IGBT組成（如圖VT5-VT10）。大電解電容的保護(hù)回路，由芯片和IGBT、功率電阻完成。

艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊，IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。

中文資料，技術(shù)參數(shù)，中文資料， PDF datasheet,圖片。