太陽能硅片厚度儀是制備太陽能硅片過程中*的檢測設備，硅片厚度有一定的偏差范圍，對于180μm厚度的硅片，其偏差范圍為±20μm，超過此范圍則成為不良品--薄厚片。薄厚片是衡量硅片品質的一個很重要的指標。薄厚片的存在會影響硅片合格率及電池片的生產工藝，因此硅片厚度成為一項重要檢測指標。

太陽能硅片厚度儀

   太陽能硅片厚度儀的技術參數：

   測量范圍           0-2mm （其他量程可定制

   分辨率             0.1um

   測量速度           10次/min（可調）

   測量壓力           17.5±1kPa（薄膜）；100±1kPa（紙張）

   接觸面積           50mm²（薄膜），200mm²（紙張） 注：薄膜、紙張任選一種

   進樣步矩           0 ～ 1300 mm(可調)

   進樣速度           0 ～ 120 mm/s(可調)

   機器尺寸           450mm×340mm×390mm (長寬高)

   重    量             23Kg

   工作溫度             15℃-50℃

   相對濕度             zui高80%,無凝露

   試驗環境             無震動，無電磁干擾

   工作電源             220V 50Hz

   標準 GB/T 6618-2009《硅片厚度和總厚度變化測試方法》中給出了硅片厚度的測量方法，并對檢測儀器的相關參數做出了規定：

   1.測厚儀由帶指示儀表的探頭及支持硅片的夾具或平臺組成。

   2.測厚儀應能使硅片繞平臺中心旋轉，并使每次測量定位在規定位置的2mm范圍內。

   3.儀表zui小指示量值不大于1μm。

   4.測量時探頭與硅片接觸面積不應超過2mm²。

   CHY-U型太陽能硅片厚度儀*上述要求，還配有自動進樣器，可完成2mm范圍內各種薄膜、復合膜、紙張、金屬箔片等硬質和軟質材料厚度精確測量。在太陽能硅片的生產過程中能夠起到重要作用。

   濟南三泉中石實驗儀器有限公司是太陽能硅片厚度儀研發與生產的高科技企業，擁有比較全面的復合膜測厚儀、金屬鍍層測厚儀、紙張測厚儀等測試體系，咨詢。