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雪崩能量測試儀廠家ITC55100雪崩能量測試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測試，同時增加了許多功能，如提高測試精度，測試結(jié)果的收集，查看測試結(jié)果，連接多個被測品。ITC55100可以用來對功率MOSFET和IGBT的耐用性測試。它還能測試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測量IGBT的正向和反向偏置。

雪崩能量測試儀廠家HUSTEC2020 雪崩耐量測試系統(tǒng)功能指標(biāo)：

配置	測試范圍	測試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V～4500V	20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA～200A	1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J～2000J	1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、
			重復(fù)間隙時間	1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1~50次