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施耐德XS630B1NAL2接近開關

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  • 型號 XS630B1NAL2
  • 品牌
  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 溫州市

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更新時間:2018-12-11 11:50:36瀏覽次數:239

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產品簡介

品牌OMRON/施耐德
施耐德XS630B1NAL2接近開關
質量是一個企業賴以生存的根本,也是一個企業發展的基石,提供優質可靠的產品,是我公司獲得
廣大客戶認可的終原因,也是我們能持續發展下去的依仗。優質可靠的產品伴隨著低廉的價格,使我們
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詳細介紹

施耐德XS630B1NAL2接近開關

 接近開關、光電開關、拉繩開關使用應變片介紹

  金屬薄膜式應變片是厚度在0.1um以下的金屬箔,采用真空沉積或高頻濺射等方法,在絕緣基片上形成的厚度在0.1mm以下的金屬箔,采用真空沉積或高頻濺射等方法,在絕緣基片上形成厚度在0.1mm以下的金屬電阻材料費薄膜的敏感柵-厚度大約為箔式應變片厚度的十分之一以下。優點:應變靈敏系數大,可靠近性好,精度高,容易做成高阻搞的小型應變片,無遲滯和蠕變現象,具有良好的耐熱性和沖擊性能等。用化學氣相淀積法制備薄膜,具有成膜溫度低、可靠性好、系統簡單等優點。薄膜應變片是今后的發展趨勢。

  半導體應變片分為本底體型號和擴散型兩種。本底體型是利用半導體材料的體電阻制成,擴散型是在半導體材料費的欺壓片上利用集成電路工藝制成擴散型電阻。

  由于半導體是各向異性材料,因此它的壓阻效應不僅與摻雜濃度、溫度、材料類型有關,還與晶向有關。半導體應變片的特性優點是靈敏度高、機械滯后小、橫向效應小、體積小、頻響高、易于集成化。缺點是溫度穩定性能差、靈敏度分散度大,較大應力作用下的非線性誤差大、機械的強度低。

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