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關于磁控濺射設備MSP-40T靶材分析

時間:2024/12/12閱讀:343
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關于磁控濺射設備MSP-40T靶材分析

本設備是一種多用途、操作簡便的磁控濺射薄膜沉積設備。這是一種小型桌面型設備,占用空間小,能夠利用強磁場形成各種金屬的薄膜。
由于涂層是在低電壓下進行的并且樣品是浮動的,因此可以將對樣品的損壞保持在低限度。
通過觸摸屏操作配備配方功能。我們已經通過序列控制實現了全自動濺射成膜。

該產品附帶設備本身和隔膜泵。需要氬氣和冷卻水循環設備,因此請檢查公用設施。

我們還可以為您準備冷卻水循環系統。
該設備需要安裝和操作說明。

image.png

關于 MSP-40T 基本實用程序

該設備需要氬氣和冷卻水循環系統來冷卻靶材。請提前檢查設施。

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關于MSP-40T靶材

除了器件本身之外,還需要目標金屬。請單獨訂購。
該設備標配一個厚度為 3mm 的目標支架。
對于不同厚度的靶金屬,需要對應每種類型的靶支架。
使用貴金屬靶材時,必須與削弱磁場力的鎳板結合安裝。
請務必了解使用現有目標時的注意事項。

目標金屬和目標保持信息
[t=3mm]
 Al、Cu、Mo、Ti、Ta、W、SUS 等

[t=2mm]
 Cr、W、Co、Ge、Si、Zr 等

[t = 1mm]
 Fe、Ni、C、W、Mo、Ti、Cr、Ta、Zn 等
 ITO(背板 t=1mm + ITO t=2mm)
 Pb (背板 t = 1mm + Pb t = 1mm)
 Sn (背板 t = 1mm + Sn t = 1mm)
 貴金屬靶 t = 0.5mm (Au、Pt、Au-Pd、Pt-Pd、Ag、Pd)
 *對于貴金屬目標需要一套磁場消除板。
 *類型和厚度僅為示例。

*MSP-40T僅適用于導電金屬材料。
*對于絕緣體和氧化物的濺射,請考慮使用射頻濺射設備。

MSP-40T 可選零件清單

如果您想提出請求,請聯系我們的銷售辦事處。

目標支架 [t=2mm 時]

目標支架 [t=1mm 時]

貴金屬靶材磁場消除板

金屬靶

*有關各種金屬靶材的信息,請聯系我們。

MSP-40T 設備規格


物品規格
電源AC100V(單相100V)3芯插頭帶15A地線
設備尺寸寬504mm,深486mm,高497mm
(設備重量37.7kg)
隔膜泵寬170mm,深287mm,高173mm
(重6.5kg)
真空排氣系統渦輪泵(TMP):67?/秒
(直接連接到設備內置的腔室)
隔膜泵(DFP):20?/分鐘
(放置在設備外部,連接管,重量 6.5kg)
極限
真空測量
1x10-4Pa以下
全量程真空計
操作面板觸摸屏操作顯示
最多可注冊20個配方
腔室尺寸內徑178mm,深度159mm不銹鋼腔體
樣品臺尺寸直徑50mm(陽極電極分離浮動法)
電極-樣品臺距離115mm、95mm、70mm
(含不同高度樣品臺)
目標金屬

ITO、Ti、W、Cr、Al、Ni、Fe、Ge、Zr、Mo、Cu、Ta、碳(使用磁場消除鎳板)
、Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd等貴金屬靶材, 鈀, 銀其他




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