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電子材料制造用高純度4N氧化鋁粉的參數分析

時間:2024/12/19閱讀:331
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電子材料制造用高純度4N氧化鋁粉的參數分析

Taimicron是采用戴美化學多年培育的鋁化合物合成技術生產的高純度、超細精細陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
銨鈉鋁石(NH)

低溫燒結氧化鋁

燒結用太微粉是一種高純度α-氧化鋁粉末,由于其初級顆粒細小且單晶,可以在極低的溫度下燒結致密化。

■特點

99.99%以上的高純度超細粉末。

它在低溫下燒結并致密化。
經過1250℃至1300℃燒成,致密化至理論密度的98%以上。

可以獲得表現出氧化鋁原有性能的優異燒結體。
陶瓷具有高強度、高硬度、優異的耐磨性和耐腐蝕性。

半透明陶瓷可以很容易地獲得
半透明陶瓷可以通過HIP燒結等來獲得。

■典型特性值

年級

超濾膜

TM-DA

TM-DAR

TM-5D

晶型

α-氧化鋁

α-氧化鋁

α-氧化鋁

α-氧化鋁

BET比表面積

平方米/克

17.0

12.5

13.5

9.0

一次粒徑*1

微米

0.09

0.12

0.12

0.20

靜態堆積密度

/立方厘米

0.8

0.8

0.9

0.8

振實密度

/立方厘米

1.0

0.9

1.0

1.1

成型密度*2

/立方厘米

2.3

2.2

2.3

2.3

燒結密度

/立方厘米

3.93 *3

3.95 *4

3.96 *4

3.93 *5

*1:根據SEM照片測量 *2:單軸壓制成型(98MPa)
*3:1250℃ *4:1350℃ *5:1400℃(在空氣中各燒成1小時)

過渡型氧化鋁*非常抱歉,目前已停止銷售。

主相為γ、θ的氧化鋁。

■特點

具有極細顆粒和大比表面積的粉末。

它具有高活性和優異的反應活性。

■典型特性值

年級

TM-100

TM-300

TM-100D

TM-300D

晶型

θ-氧化鋁

γ-氧化鋁

θ-氧化鋁

γ-氧化鋁

BET比表面積

平方米/克

120

220

120

200

一次粒徑*1

微米

0.014

0.007

0.014

0.010

靜態堆積密度

/立方厘米

0.15

0.05

0.40

0.40

振實密度

/立方厘米

0.18

0.08

0.60

0.60

*1:根據 BET 值計算

目的

高強耐磨材料
人造骨、牙科材料、軸承等。

電子材料
IC基板、半導體制造夾具、傳感器等

光學材料
透光陶瓷、紅寶石、YAG等

其他
各種填料、合成尖晶石、催化劑載體等

 

 

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