標準型可選配導電超薄膜形成機構。
此外，它可以作為選項安裝在您已經使用的設備（兼容型號）上。
僅低電流法、僅混合氣體法、低電流法+混合氣體法均可作為選項安裝。
導電超薄膜機構（混合氣體法）和親水處理機構不能同時安裝。
此外，主機的外部尺寸和重量將根據安裝的選件而變化。

此外，關于這種導電超薄膜機制，我們已經獲得了使用鋨等離子體鍍膜機的成膜方法的。
名稱：導電超薄膜機構（低電流法）
號：第5419723號
發明名稱：導電薄膜的等離子體沉積方法

[抑制影響超薄膜厚度再現性的浪涌電流的影響]

放電開始時，會產生超過穩定電流的大量浪涌電流。這種浪涌電流的發生很難預測，而最大限度地避免這些影響是提高3.0 nm以下超薄膜厚度再現性的關鍵。

Philgen的導電超薄膜沉積機制
從沒有電流流動的真空狀態施加放電電壓，逐漸增加OsO4氣體的量，并在監控放電電流的同時控制放電時間，以減少浪涌電流的影響，從而實現了最小化。超薄膜的膜厚再現性高。

（標準型與導電性超薄膜形成機理的比較）

-	標準型	導電超薄膜形成機理
最小膜厚設定值	1納米	0.1納米
按下啟動開關后的流程	OsO4氣體介紹	從沒有放電電流流過的真空狀態施加電壓
	氣體導入量控制	逐漸增加OsO4氣體的量
	放電開始	放電電流根據氣體量逐漸增加。
	出院結束	出院結束

“低電流法+混合氣體法”與“低電流法”安裝方式比較

OPC80T-LM
（低電流法+混合氣體法）

OPC80T-L
（低電流法）

該類型在傳統鋨等離子體鍍膜機（OPC80T）的基礎上增加了低電流法/混合氣體法
。可以以良好的再現性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。
您也可以使用標準類型的膜。點擊此處查看

超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像

該類型在傳統鋨等離子體鍍膜機 (OPC80T) 的基礎上增加了低電流方法
。可以以良好的再現性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。
您也可以使用標準類型的膜。點擊此處查看

超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像

低電流法和混合氣體法

●低電流法	該方法從OsO4氣體濃度低至足以防止輝光放電開始的高真空狀態施加電壓，并以低放電電流形成膜。這通過防止在放電初始階段流過大電流來提高再現性。
●混合氣體法	通過在OsO 4 氣體中混入惰性氣體，OsO 4 氣體濃度降低，成膜速度降低，控制變得容易。由于可以僅使用惰性氣體進行放電，因此可以擴展到蝕刻等。

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filgen鋨等離子體鍍膜機的導電超薄膜形成機理

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