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C60-20S 離子源系統

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產品簡介

雖然所有離子束都會濺射或蝕刻,但我們的一些系統的表面是專為高效和快速濺射而設計的。濺射光束有三個特點:高電流、大光斑尺寸和寬視場。這些特性的結合意味著它們可以在大面積上盡快輸送大劑量的離子,以優化蝕刻速率。

詳細介紹

C60-20S是一種高性能離子束,設計用于濺射表面,具有 小的損傷和減少的沿周濺射效應。 C60-20S在高達20 kV的電壓下工作,可有效地濺射材 料,且損傷 小,無需重新沉積碳。 C60是XPS、AES和SIMS的理想升級組件,可在多種材料 上均勻濺射。 


聚合物的高速、低化學損傷蝕刻。

 C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍,同時 對底層材料造成的損害要小得多。 下圖比較了15kev的C60濺射產率與15kev金、氙鎵和氬的 TRIM數據。在相反的例子中,用C60和單原子氬離子束濺 射清洗PTFE薄膜。 雖然兩種離子束都去除了表面污染,但只有C60離子束的表 面化學性質沒有發生變化。 

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