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Ishizaki等進行了帶缺陷超疏水膜層的腐蝕機理研究,由于裂縫的存在使膜層局部區域的疏水性降低,腐蝕介質通過裂縫滲入,從而發生腐蝕,伴隨著腐蝕產物的積累,膜層被進一步破壞,使表面由超疏水狀態變為超親水狀態,腐蝕擴展,終超疏水膜層破壞。如何避免或減輕這些缺陷帶來的不利影響,是超疏水膜層的研究課題之一。相法制備超疏水膜層的研究進展目前用于制備超疏水膜層的CVD方法包括常溫常壓化學氣相沉積(常溫常壓CVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、氣溶膠輔助化學氣相沉積(::CVD)等。溫常壓化學氣相沉積常溫常壓CVD不需要復雜精密設備,沉積薄膜組成及結構可控,具有成本低、操作簡單、制備膜層重復性好、膜層均勻、適用范圍廣以及對基體材料無損害等優點。Rollings等研究了甲基三氯硅烷(TCMS)合成納米纖維的影響因素,包括反應物濃度和配比、反應物分布均一性、合成時間和催化劑用量;相關學者還研究了反應溫度對制備膜層疏水性的影響;Karla等采用拉曼原位監測技術研究了CVD制備碳納米管(CNT)的形成和生長過程。
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L:S陰離子廢水危害表面活性劑的種類繁多,對其毒害的評價要同時考慮具體某種物質及其降解產物的毒性。可能造成的影響包括急性毒性、亞急性毒性、慢性毒性、致癌性、致畸性、致突變性、致敏性等。一般認為,陽離子表面活性劑的毒性較大,常用來殺菌消毒,陰離子型表面活性劑具有一定毒性,非離子型表面活性劑的毒性相對較小,但有的降解產物毒性大。L:S屬中等毒性物質,而且毒性與疏水基的鏈長有關,疏水基鏈越長毒性越大。表面活性劑進入水體、土壤后能降低兩相界面的表面張力,會在界面上產生吸附,從而導致理化性質的改變。
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