鎳基含鉻合金的臨界縫隙腐蝕檢測(cè)方法有哪些，采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽(yáng)極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗(yàn)溶液，利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過(guò)對(duì)材料的金屬腐蝕檢測(cè)，能快速了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過(guò)飽和體，不會(huì)產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內(nèi)，碳的固溶體不超過(guò)0.02%，過(guò)飽和碳將從奧氏體中或部分析出。這時(shí),碳會(huì)擴(kuò)散到晶界和結(jié)合鐵和鉻在晶界形成硬質(zhì)合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內(nèi)擴(kuò)散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒(méi)有時(shí)間補(bǔ)充，因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對(duì)于不銹鋼來(lái)說(shuō)，由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞，晶界上析出的碳化鉻周?chē)呢氥t區(qū)成為陽(yáng)極區(qū)，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質(zhì)中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽(yáng)極面積比小，加速了晶界區(qū)域的腐蝕。
長(zhǎng)期以來(lái)，采用含有穩(wěn)定元素Ti和Nb的Cr - Ni奧氏體不銹鋼，如1Cr18Ni9Ti、0cr18ni11ti、1cr18ni12mo2ti、1cr18ni12mo3ti、1cr18ni11nb、0cr18ni11nb等，防止晶間敏化腐蝕，取得了滿意的效果。Ti和Nb的作用主要是與鋼中的過(guò)飽和碳形成穩(wěn)定的tic、NBC等碳化物，以防止或減少Cr23C6碳化鉻的形成。
晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強(qiáng)氧化介質(zhì)中也會(huì)發(fā)生晶間腐蝕。這時(shí)，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)p雜質(zhì)達(dá)到100ppm或Si雜質(zhì)達(dá)到1000 ~ 2000ppm時(shí)，它們會(huì)在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質(zhì)在強(qiáng)氧化劑介質(zhì)的作用下會(huì)溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會(huì)出現(xiàn)晶間腐蝕，因?yàn)樘己土仔纬闪肆滋蓟铮拗屏肆紫蚓Ы绲臄U(kuò)散，降低了雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了對(duì)晶間腐蝕的敏感性。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
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