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更新時間：2021-08-19 17:15:45瀏覽次數：897次

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產品簡介

簡介：PSEL近年來，提供大量的短波紅外（SWIR）相機和OEM定制產品。選擇高響應度的InGaAs芯片，搭配低噪聲電子元件和深度冷卻裝置，可實現的光子采集和信噪比。通過特殊的曝光模式在弱光水平條件下可以實現的無快門占空比和高靈敏度典型應用太陽能電池檢查裸太陽能電池硅片檢查天文學爐內溫度監(jiān)控工業(yè)熱成像成像光譜學&n

詳細介紹

詳細信息

簡介：

PSEL近年來，提供大量的短波紅外（SWIR）相機和OEM定制產品。選擇高響應度的InGaAs芯片，搭配低噪聲電子元件和深度冷卻裝置，可實現的光子采集和信噪比。通過特殊的曝光模式在弱光水平條件下可以實現的無快門占空比和高靈敏度

 

典型應用


  • 太陽能電池檢查

  •  裸太陽能電池硅片檢查

  •  天文學

  •  爐內溫度監(jiān)控

  •  工業(yè)熱成像

  •  成像光譜學

  •  深層皮膚病學成像

  •  厚樣品顯微檢查

  •  激光輪廓測量/通信



SWIR InGaAs空氣制冷相機主要性能指標


l  相機采用數字化處理保證65535灰度級（16位）圖像的完整性，掃描頻率可達4x18MHz。

l  一級InGaAs芯片可操作性大約在99.5%，分辨率640x512。量子效率>70%

l  可用帶寬900-1700nm。輸入像元尺寸：15x15um，感光面尺寸：9.6x7.68mm

l  高增益模式：讀出噪聲：典型值27-35電子

l  典型滿阱容量（高增益模式）：23,000 – 28,000電子，動態(tài)范圍>800:1

l  中增益模式：讀出噪聲：典型值47-58電子

l  典型滿阱容量（中增益模式）：95,000 – 105,000電子，動態(tài)范圍>1800:1

l  低增益模式：讀出噪聲：典型值390-560電子

l  典型滿阱容量（低增益模式）：1,100,000 – 1,500,000電子，動態(tài)范圍>2200:1

l  二次空氣冷卻殼體提供350C的比熱容，可以將芯片熱噪聲降低到0.5fA以下（典型值0.2-0.4fA）。

l  相機校準：補償，增益，平場，暗電流，非均勻響應

l  幀速: >170fps （16位分辨率，4x18MHz掃描速率）

l  更高幀速（X，Y局部分辨率）：>500fps @320x256分辨率中心區(qū)域。


關鍵詞：芯片 電池

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