FUANSHI 可控硅儀器

可控硅調功器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎,以智能數字控制電路為核心的電源功率控制電器。簡稱可控硅調功器。又稱晶閘管調功器,晶閘管調整器,晶閘調壓器,可控硅調壓器,可控硅調整器。具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等諸多優點。

AEG Thyro-A 2A 400-495 HF RL3調功器,也稱之為電力調功器，可控硅調功器，晶閘管可控硅調功器，功率調功器，可控硅控制器，產地德國，濟南友田機械設備到貨可提供報關單

可控硅調功器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎,以智能數字控制電路為核心的電源功率控制電器。簡稱可控硅調功器。又稱晶閘管調功器,晶閘管調整器,晶閘調壓器,可控硅調壓器,可控硅調整器。具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等諸多優點。

AEG Thyro-A 2A 400-495 HF RL3調功器,也稱之為電力調功器，可控硅調功器，晶閘管可控硅調功器，功率調功器，可控硅控制器，產地德國，濟南友田機械設備到貨可提供報關單

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅元件的結構

不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。

FUANSHI 可控硅儀器

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅元件的結構

不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。