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便攜式紅外熱像檢測(cè)儀質(zhì)譜分析儀
HS-FT320便攜式熱像檢測(cè)儀利用紅外熱成像技術(shù)，對(duì)被檢測(cè)物體的熱紅外輻射探測(cè)，并加以信號(hào)處理、光電轉(zhuǎn)換等手段，將標(biāo)的物的溫度分布的圖像轉(zhuǎn)換成可視圖像的檢測(cè)設(shè)...
型號(hào)： HS-FT320 所在地：北京市參考價(jià)： ￥120000 更新時(shí)間：2023/7/25 9:28:15 對(duì)比

紅外檢測(cè)儀紅外成像儀熱成像儀光伏組件紅外監(jiān)控儀光伏電站運(yùn)維設(shè)備
HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測(cè)系統(tǒng)
HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測(cè)系統(tǒng)產(chǎn)品介紹HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測(cè)系統(tǒng)是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體...
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/2/27 8:28:25 對(duì)比
HS-Phys-IRis晶圓紅外檢測(cè)系統(tǒng)
HS-Phys-IRis晶圓紅外檢測(cè)系統(tǒng)產(chǎn)品介紹HS-Phys-IRis晶圓紅外檢測(cè)系統(tǒng)專門用于包括硅材料等半導(dǎo)體晶圓及晶環(huán)生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)晶圓內(nèi)部的機(jī)械隱裂等肉...
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/2/27 8:26:38 對(duì)比
HS-NIR-SiRod單晶硅芯長(zhǎng)棒紅外探傷測(cè)試儀
HS-NIR-SiRod單晶硅芯長(zhǎng)棒紅外探傷測(cè)試儀產(chǎn)品介紹HS-NIR-SiRod單晶硅芯長(zhǎng)棒紅外探傷測(cè)試儀是專門用于硅芯硅棒生產(chǎn)中的硅棒硅芯內(nèi)部的的裂縫、雜質(zhì)...
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2023/2/27 8:24:41 對(duì)比
便攜式EL檢測(cè)儀太陽能電池板
便攜式EL檢測(cè)儀用于檢測(cè)光伏電池組件的隱裂、碎片、虛焊、黑片、斷柵及混檔等各類缺陷。光伏電池的內(nèi)部缺陷嚴(yán)重影響光伏電池板的使用壽命和*發(fā)電效率，甚至?xí)瓞F(xiàn)場(chǎng)火...
型號(hào)： HS-CT 所在地：北京市參考價(jià)： ￥150000 更新時(shí)間：2022/10/15 9:34:16 對(duì)比

EL檢測(cè)儀光伏EL檢測(cè)系統(tǒng)組件EL檢測(cè)系統(tǒng)便攜式EL檢測(cè)儀器光伏電站運(yùn)維監(jiān)控設(shè)備
直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料
工藝介紹（光盤資料）：CZ硅單晶是一項(xiàng)系統(tǒng)工程，不僅需要對(duì)拉晶本身的設(shè)備衛(wèi)檢、冷檢、熔料、穩(wěn)定、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻過程工藝要全面把握，而且也離不開對(duì)硅...
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/22 15:38:48 對(duì)比
硅材料紅外探傷儀
主要探測(cè)指標(biāo)：裂縫，黑點(diǎn)，夾雜(通常為SiC)，隱裂，微晶
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 13:42:16 對(duì)比

硅材料檢測(cè)多晶硅檢測(cè)紅外探測(cè)
籽晶圓籽晶/方籽晶/錐形籽晶（直拉單晶）
產(chǎn)品介紹：選材好，均從整根單晶中取材，取自單晶中部的無位錯(cuò)、無損傷、無應(yīng)力部分，取材部位與尾部有足夠距離，且沒有切割損傷
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
Monocrystal高品質(zhì)藍(lán)寶石籽晶
產(chǎn)品介紹：藍(lán)寶石具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在醫(yī)療、環(huán)保、化工、高真空測(cè)試、LED等等領(lǐng)域
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
碳化硅籽晶
產(chǎn)品介紹：SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導(dǎo)體材料
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
方坩堝噴涂用氮化硅
■氮化硅分子式為Ｓi3Ｎ4，是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
拉單晶專用鎵摻雜劑
拉單晶專用鎵摻雜劑■鎵摻雜是目前太陽能拉單晶生產(chǎn)的工藝■拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時(shí)可以提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率■即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3Ω*cm...
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
直拉單晶，多晶鑄錠摻雜用高純度母合金
母合金摻雜劑■摻雜，又稱配料，摻雜的目的主要是用來改變硅熔體中施主雜質(zhì)（如磷）或受主雜質(zhì)（如硼）的雜質(zhì)濃度，使其生長(zhǎng)出的單晶電阻率達(dá)到規(guī)定的要求
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
拉單晶專用鎵摻雜劑（Ga Dopant）
■鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡(jiǎn)稱Ga
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
直拉單晶區(qū)融用籽晶
籽晶是生長(zhǎng)單晶的種子，也叫晶種
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤
SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤我公司擁有多名日本專家、博士工程師及*經(jīng)營管理團(tuán)隊(duì)，擁有專業(yè)從事碳化硅涂層以及對(duì)石墨產(chǎn)品進(jìn)行高溫純化除雜技術(shù)
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/3 11:30:27 對(duì)比
PHY-E280A光伏電池片組件缺陷EL檢測(cè)測(cè)試系統(tǒng)
PHYS-E280A型電池片EL檢測(cè)儀是專門用于電池片生產(chǎn)中清晰、準(zhǔn)確、快速地檢測(cè)出太陽能電池片的各種缺陷，包括裂片、微隱裂、黑心片、斷柵、印刷不良、破洞、短路...
型號(hào)： PHY-E280A 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/8/2 16:38:28 對(duì)比

電池片檢測(cè)EL檢測(cè)電池片缺陷檢測(cè)隱裂黑心片檢測(cè)斷柵污染檢測(cè)
CZ直拉硅單晶配料工藝軟件
問題背景:：■30公斤
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/7/12 14:52:11 對(duì)比
多晶硅鑄錠（定向凝固）配料工藝軟件
問題背景：■30公斤
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/7/12 14:52:11 對(duì)比
拉單晶鎵摻雜工藝軟件
軟件背景介紹:■鎵摻雜是目前太陽能拉單晶生產(chǎn)的工藝
型號(hào)：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2022/7/12 14:52:11 對(duì)比

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