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日本掃描電鏡

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所  在  地東莞市

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更新時間:2025-06-07 12:09:40瀏覽次數:17次

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產品簡介

JSM-7800F場發射掃描電子顯微鏡

新一代日本掃描電鏡JSM-7800F配備了新開發的超級混合式物鏡(SHL),在保持*的可操作性的同時,實現了低加速電壓下的高分辨率,電子源采用浸沒式(in-lens)肖特基場發射電子槍,因而能以大束流電流進行穩定的分析。

詳細介紹

日本掃描電鏡通過超級混合式物鏡(SHL)進行高分辨率觀察

JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL),由于減少了色差及球差,*地提高了低加速電壓下的分辨率。此外,SHL不會對樣品形成磁場影響,因此觀察磁性材料的樣品和進行EBSD測試可以不受制約。

JSM-7800F場發射掃描電子顯微鏡
JSM-7800F場發射掃描電子顯微鏡

日本掃描電鏡低加速電壓下的能量選擇

能量過濾器位于高位檢測器 (UED)的正下方,可以選擇能量。即使在低加速電壓下,也能夠精確地選擇二次電子和背散射電子,因而可以通過低加速電壓下的背散射電子像,觀察樣品的淺表面。

通過GENTLE BEAM (即柔和光束GB模式)觀察樣品的淺表面

給樣品加以偏壓(GB),對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達樣品時的能量很低,也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式,用數十電子伏能量的入射電子束,就可以進行更高分辨率的觀察。

JSM-7800F場發射掃描電子顯微鏡
JSM-7800F場發射掃描電子顯微鏡

通過多個檢測器獲取樣品的所有信息

JSM-7800F配有四種檢測器:高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同,二次電子和背散射電子的數量會改變,因此可以選擇電子的能量,USD檢測被過濾器彈回的低能量電子,BED通過檢測低角度的背散射電子,能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。

 

應用實例

低加速電壓下的觀察
利用JSM-7800F的GB模式,到達樣品的能量從10 eV開始就可以觀察。下面將到達樣品的能量設定為80 eV進行實例觀察:一個碳原子厚度的石墨薄片的表面

樣品: 石墨烯 到達能量80eV

利用GBSH觀察
利用GBSH對樣品施加高偏壓,像差將會減小,圖像的高分辨率會更高。能清楚地觀察到介孔二氧化硅里中的微孔(左圖)。

樣品:介孔二氧化硅 到達樣品的能量: 1keV

觀察磁性材料樣品
SHL物鏡能抑制磁場的泄漏,因此即便是磁性材料的樣品,也可以用極低的入射電子能量很容易地進行高分辨率觀察 。

樣品: 磁鐵礦納米顆粒 到達樣品的能量: 1keV

UED和USD能同時獲取背散射電子像(左圖)和二次電子像(右圖),因此可以精確地解釋圖像。二次電子像主要反映形貌信息,金顆粒和TiO2的襯度沒有明顯不同,而背散射電子像中原子序數高的金顆粒則顯得明亮。樣品: 金負載型TiO2催化劑(2kV)g

磁性樣品的EBSD測試
SHL沒有磁場泄漏的影響,也很適合于EBSD。象下圖所示那樣,通過反極圖能準確地確定晶體的取向。

分析點數: 118585
尺寸:
Xzui大: 80.00微米, Y zui大: 79.89微米
步長: 0.25微米
相: Nd2Fe14B
從樣品中獲得的EBSD花樣實例
( 在任意點上獲取)
NDTDRD

 

產品規格

分辨率0.8 nm(15 kV)
1.2 nm(1 kV)
3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm)
倍率×25 ~ ×1,000,000(SEM)
加速電壓0.01kV ~ 30kV
樣品照射電流(探針電流)數pA~200nA
自動光闌角*控制透鏡內置
檢測器高位檢測器(UED)
低位檢測器(LED)
能量過濾器UED過濾器電壓可變功能內置
Gentle Beam (GB模式即柔和光束) (樣品偏壓)內置
數字圖像1,280 x 960 像素, 800 x 600 像素
樣品交換室由TYPE2A構成
樣品臺全對中測角樣品臺、5軸馬達驅動
X-YX:70mm, Y:50mm
傾斜-5 ~ +70°
旋轉360°
工作距離2mm to 25mm
真空系統SIP 2臺、TMP、RP
節能設計正常運行時: 1.3kVA
節能模式時: 0.8kV

 

JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL),由于減少了色差及球差,*地提高了低加速電壓下的分辨率。此外,SHL不會對樣品形成磁場影響,因此觀察磁性材料的樣品和進行EBSD測試可以不受制約。

關鍵詞:催化劑

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