一、用51Cr鉻酸鈉標記靶細胞
短期標記法
1．用RPMI-1640培養液洗滌107靶細胞，去上清液。用0.5ml不含的*培養液懸浮細胞。加入100μCi（3.7MBq）51Cr鉻酸鈉，37℃水浴中標記1小時，每5～10分鐘搖晃一次，混勻細胞。
2．如上用RPMI-1640培養液洗滌細胞3次，每次400×g 10分鐘。用50ml RPMI-1640培養液懸浮細胞，置37℃水浴30分鐘，以減少非特異的自然釋放。
3．離心200×g 10分鐘，去上清液。小心用RPMI-1640培養液懸浮細胞，盡量減少振蕩引起的細胞損傷以降低靶細胞的自然釋放率，將細胞濃度調整為0.5×105或1×105/ml備用。
二、4小時51Cr釋放實驗
1．在96孔圓底細胞培養板中加入51Cr標記的靶細胞，每孔加100μl。
2．向各孔加100μl效應細胞，效應細胞與靶細胞的比例（效靶比，E：T）根據要求而定，通常為5：1～20：1。陰性對照孔（自然釋放）不加效應細胞只加100μl*培養液，陽性對照孔（zui大釋放）中加100μ1％NP40（或2％SDS，1mol/L鹽酸）。每個實驗置三個復孔。
3．稍稍離心（100×g 3分鐘）后，置37℃ 5％ CO2的二氧化碳培養箱中培養4小時。
4．離心培養板200×g 10分鐘，每孔吸出100μl上清液置一次性使用的檢測管中，在γ－計數儀上（或液閃計數儀上）測定上清液中的每分鐘放射性活性（cpm值）。
3）特異性殺傷活性的計算
1．用細胞毒性百分比表示：細胞毒性（％）＝
