主要優勢

用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗，提高先進工藝的晶圓邊緣良率

高刻蝕精度，刻蝕寬度大小可調

自主技術可做到更精準高效的晶圓對準，控制精度高、均勻性高，可實現精準邊緣刻蝕

高產能，低化學品消耗

設備和工藝可擴展至10nm以下工藝技術節點

對下層材料刻蝕具有高選擇比，對晶圓無損傷的特點

出色的晶圓邊緣清洗能力，更好的顆粒控制

可靈活應用于多種襯底材料，包括重摻雜片、Bonding 片、超薄片等

特性和規格

適用于12寸晶圓邊緣清洗

最多可配置4個Lord Port

可配置12個工藝腔體

真空夾盤對晶圓進行夾持

可對晶圓正背面邊緣進行清洗，最多可配備5種藥液進行清洗工藝

每個腔體均配置高精度的晶圓對中單元

可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元