BOE濕法清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于晶圓表面氧化層刻蝕與清潔的關(guān)鍵設(shè)備，通過化學(xué)濕法工藝實(shí)現(xiàn)高效潔凈處理。廣泛應(yīng)用于光刻、刻蝕后清洗及TSV三維封裝前處理，適配硅基、化合物半導(dǎo)體（GaN/SiC）等場(chǎng)景，顯著提升芯片良率與產(chǎn)線穩(wěn)定性，是14nm以下制程的關(guān)鍵配套設(shè)備。

詳細(xì)介紹

BOE濕法清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于晶圓表面氧化層刻蝕與清潔的核心設(shè)備，通過化學(xué)濕法工藝實(shí)現(xiàn)高效、精準(zhǔn)的潔凈處理。其核心功能包括：

氧化層刻蝕與污染物去除：

采用BOE（緩沖氧化蝕刻液，如HF/NH?F）等化學(xué)溶液，精準(zhǔn)去除光刻膠殘留、氧化硅（SiO?）及金屬污染，兼容4-12英寸晶圓，適用于制程（如EUV光刻后清潔）。

多工藝協(xié)同清洗：

集成SC-1（NH?OH/H?O?）、DHF（稀氫氟酸）等濕法配方，結(jié)合兆聲波（1-3MHz）震蕩增強(qiáng)顆粒剝離效率，顆粒去除率＞99.9%（檢測(cè)限0.1μm），表面粗糙度Ra＜0.3nm（AFM檢測(cè)）。

自動(dòng)化與溫控系統(tǒng)：

PLC全自動(dòng)調(diào)節(jié)清洗參數(shù)（時(shí)間、溫度±0.5℃、流速），配備機(jī)械臂傳輸（定位精度±0.1mm），避免磕碰損傷；支持DI水（電阻率≥18.2MΩ·cm）循環(huán)噴淋與IPA（異丙醇）干燥，防止水痕殘留。

環(huán)保與節(jié)能設(shè)計(jì)：

藥液過濾系統(tǒng)（UF/MF膜技術(shù)）延長(zhǎng)化學(xué)品使用壽命，廢液分類中和處理，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；熱交換模塊回收余熱，降低能耗30%以上。

該設(shè)備廣泛應(yīng)用于光刻、刻蝕后清洗及TSV三維封裝前處理，適配硅基、化合物半導(dǎo)體（GaN/SiC）等場(chǎng)景，顯著提升芯片良率與產(chǎn)線穩(wěn)定性，是14nm以下制程的關(guān)鍵配套設(shè)備。

關(guān)鍵詞：芯片