半導體清洗設備是芯片制造過程中用于去除晶圓表面污染物（如光刻膠殘留、顆粒、金屬雜質、氧化物及有機/無機污染物）的關鍵工藝設備。其核心目標是確保晶圓表面的超潔凈度（顆粒＜0.1μm，金屬污染＜0.1ppb），為后續光刻、蝕刻、沉積等制程提供無缺陷的基底。清洗效果直接影響芯片良率、電性能及可靠性，尤其在EUV（極紫外光刻）、3D NAND、封裝等節點中更為重要。
清洗方法分類
濕法清洗
化學配方：基于RCA標準（如SC-1：NH?OH/H?O?去有機物；SC-2：HCl/H?O?去金屬；DHF：稀釋HF去氧化層），通過噴淋、浸泡或超聲波輔助溶解污染物。
兆聲波清洗：MHz級高頻聲波產生空化效應，剝離微小顆粒（＜0.1μm），避免機械接觸損傷。
超臨界干燥：利用CO?超臨界狀態替代傳統IPA（異丙醇）干燥，避免表面張力導致裂紋或顆粒殘留。
干法清洗
等離子體清洗：O?、CF?等離子體轟擊表面，去除光刻膠殘留及有機污染物，適用于窄縫、深孔結構。
紫外光清洗：UV輻照分解有機物，配合臭氧（O?）增強氧化能力，用于光罩（Mask）清潔。
物理聯合工藝
刷洗+噴淋：軟質刷毛（如PVA）配合化學液去除頑固顆粒，用于邊緣或背面清洗。
流體力學設計：通過湍流控制或旋轉噴淋臂實現晶圓表面均勻覆蓋，減少液膜殘留。
核心功能與技術指標
關鍵功能模塊
預處理：DIW（去離子水）預沖洗+兆聲波粗洗，去除大顆粒（＞1μm）。
主清洗：多槽聯動（化學槽/等離子體腔/超聲槽），支持多步工藝組合（如去膠→去金屬→鈍化）。
后處理：超臨界CO?干燥+真空熱風，控制表面應力＜5MPa，防止圖案變形。
性能指標
潔凈度：顆粒殘留＜5顆/cm2（≥0.1μm），金屬污染＜0.01ppb（Fe/Cu/Ni）。
均勻性：±1%腐蝕速率偏差（如300mm晶圓邊緣與中心一致）。
產能：單次清洗周期＜20分鐘（視工藝復雜度），支持24小時連續運行。
智能化控制
實時監測：激光顆粒計數器（≥0.1μm靈敏度）、pH/溫度傳感器、RFID晶圓識別。
AI參數優化：機器學習分析污染類型（金屬/顆粒/有機物），動態調整清洗時間、溫度及化學濃度。
應用場景與行業價值
核心場景
光刻前后清潔：去除光刻膠殘留（如EUV光罩清洗）、提升光刻膠附著力。
蝕刻后處理：清除蝕刻副產物（如聚合物、金屬再沉積）。
CVD/PVD前預處理：確保薄膜沉積的均勻性與附著力。
技術挑戰與解決方案
深孔結構清洗：兆聲波+等離子體聯合工藝解決3D NAND溝道污染物問題。
低應力工藝：超臨界干燥技術避免TSV（硅通孔）結構形變（＜0.1μm翹曲）。
環保合規：封閉式廢液回收系統（中和+重金屬沉淀）滿足REACH/RoHS標準。
